第三代半导体的特点主要是宽禁带、性价比高。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体在新能源汽车、5G、光伏发电、快充等领域不断取得突破。

目前，第三代半导体功率器件发展方向主要有碳化硅和氮化镓两大方向。预计全球SiC和GaN功率半导体未来10年将拥有年均两位数增长率，到2029年市场规模将超过50亿美元。

氮化镓集中在600V以下领域，主要应用于快充、电源开关、激光雷达、服务器电源等市场；碳化硅用于1200V以上领域，主要应用于电动汽车、PFC电源、储能、充电桩、轨道交通、智能电网等领域。

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